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外延产品

规 格 产品型号 样品图片
D-HEMT/650V/Si-150mm-1000μm 150 mm D-HEMT on Si
E-HEMT/650V/Si-150mm-1000μm 150 mm E-HEMT on Si
D-HEMT/200V/Si-150mm-1000μm 150 mm D-HEMT on Si
E-HEMT/200V/Si-150mm-1000μm 150 mm E-HEMT on Si
RF-HEMT/200V/Si-150mm-1000μm 150 mm rf-HEMT on Si
D-HEMT/650V/Si-200mm-975μm 200 mm D-HEMT on Si
E-HEMT/650V/Si-200mm-975μm 200 mm E-HEMT on Si
D-HEMT/200V/Si-200mm-725μm 200 mm D-HEMT on Si
E-HEMT/200V/Si-200mm-725μm 200 mm E-HEMT on Si
RF-HEMT/200V/SiC-50mm-360μm 50 mm rf-HEMT on SiC
RF-HEMT/200V/SiC-100mm-500μm 100 mm rf-HEMT on SiC
RF-HEMT/200V/SiC-150mm-500μm 150 mm rf-HEMT on SiC
D-HEMT/Sapphire-50mm-430μm D-HEMT on sapphire
D-HEMT/Sapphire-100mm-650μm D-HEMT on sapphire
D-HEMT/Sapphire-150mm-1000μm D-HEMT on sapphire
E-HEMT/Sapphire-50mm-430μm E-HEMT on sapphire
E-HEMT/Sapphire-100mm-650μm E-HEMT on sapphire
E-HEMT/Sapphire-150mm-1000μm E-HEMT on sapphire
SBD/650V/sapphire-50mm-430μm SBD on sapphire
SBD/650V/sapphire-100mm-650μm SBD on sapphire
SBD/650V/sapphire-150mm-1200μm SBD on sapphire

功率器件

产品型号耐 压导通电阻阈值电压类型封装形式封装图

CE65E160DNYI

650V160mΩ2.5V增强型 单管DFN 5*601.png

CE65E160DNHI


650V160mΩ2.5V增强型 单管DFN 8*803.jpg

CE65E300DNYI


650V300mΩ2.5V增强型 单管DFN 5*602.png
CE90E075DNCI900V75mΩ2.5V增强型 单管DFN 8*803.png
CE12E050DNCI1200V50mΩ2.5V增强型 单管DFN 8*804.png
CE65D150DNBI 650V150mΩ-18V耗尽型 单管DFN 8*805.png
CE65H070TOCI650V70mΩ4V耗尽型 级联TO247-3L06.png
CE65H070TODI650V70mΩ4V耗尽型 级联TO247-4L1661506142357143.png
                    CE65H070DNHI650V70mΩ4V耗尽型 级联DFN 8*808.png
CE65H110TOCI650V110mΩ4V耗尽型 级联TO247-3L09.png
                    CE65H110DNHI650V110mΩ4V耗尽型 级联DFN 8*810.png
CE65H160TOAI650V160mΩ4V耗尽型 级联TO22011.png
                    CE65H160DNFI/DNHI650V160mΩ4V耗尽型 级联DFN 8*812.png

CE65H160DNGI

650V160mΩ4V耗尽型 级联DFN 8*802.jpg

CE65H270TOBI

650V270mΩ4V耗尽型 级联TO25213.png
                    CE65H270DNFI/DNHI650V270mΩ1.9V耗尽型 级联DFN 8*814.png
                    CE65H270DNGI/DNYI650V270mΩ1.9V耗尽型 级联DFN 5*615.png
CE65H400TOBI650V400mΩ1.9V耗尽型 级联TO2521.png
CE65H400DNYI650V400mΩ1.9V耗尽型 级联DFN 5*62.png
CE65H600TOBI650V600mΩ1.9V耗尽型 级联TO2523.png

CE65H600TOEI

650V600mΩ1.9V耗尽型 级联TO25201.jpg
CE65H900TOBI650V900mΩ1.9V耗尽型 级联                                  TO2524.png
                                  CE12H160TOCI1200V                                  160mΩ4V耗尽型 级联                                  TO247-3L5.png

代加工平台

产品类别

加工工序

01光刻(50mm-200mm)

02金属溅射(Ti、Al、TiN、Cu等)
金属蒸发(Ti、Al、Ni、Pt、Mo、Ta、Ag、Co、Cr等)

03干法刻蚀GaN、Si、SiC、SiO2、Si3N4、AL、TiN、Ni、Cr、Pt等

04湿法刻蚀及清洗

05薄膜PECVD沉积SiO2、Si3N4、ALD沉积Al2O3、AlN和Si3N4等

06离子注入N、BF2、Ar

07TSV工艺

08磨片、划片

09晶圆、器件测试

10激光开槽

11烤盘清洗

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